引言 ⅲ-ⅴ族半导体技术使用台面结构对激光器和波导等器件进行光学和/或电学隔离。 在更复杂的光电电路中，需要高精度的单片集成或混合组装表面结构，如V形槽。 例如，V形槽被用作玻璃纤维到波导连接或有效芯片到芯片安装(倒装芯片技术)的对准辅助。 通常情况下，这些V形槽是在廉价的硅衬底上制造的，具有高导热性和机械强度。 然而，对于基于磷化铟的光电器件的单片对准，建议在磷化铟衬底上使用V形槽。 湿法化学刻蚀由于其低成本和各向异性的特性，在制作V型槽方面很有前景。 蒸发过程中的背景压力保持在2×10×6毫巴以下。 钛层是光刻图案化使用希普利S 1400-31正性光致抗蚀剂，以形成用于V型槽蚀刻的掩模。 结果和讨论 在图2中显示了(100) InP的最小允许蚀刻速率的值，该值是针对7′= 10，20和40℃确定的，并使用上述图形程序在八次蚀刻时间内取平均值。 这使我们能够利用r的依赖性来预测设计为玻璃纤维对准辅助的V形槽的轮廓。 在图6中给出了图形构造过程的准确性以及蚀刻过程的再现性的证明，其中测量和计算了V形槽的深度。 图10 使用蚀刻凹槽的测量和计算深度的比较 总结   使用氯化氢∶磷酸氢盐(5∶1)溶液，通过钛和铟掩模，在(100) InP中进行了选择性区域蚀刻。 在垂直于晶圆表面的方向上，蚀刻速率为6.9μm/min，这意味着在11min内制作了深度为72±1μm的纤维对准槽。